Puolijohteiden paineanturit voidaan jakaa kahteen luokkaan, joista toinen perustuu periaatteeseen, että puolijohteen PN-liitoksen (tai Schottky-liitoksen) I-υ ominaisuudet muuttuvat jännityksen vaikutuksesta. Tämän paineherkän elementin suorituskyky on erittäin epävakaa, eikä sitä ole kehitetty paljon. Toinen on puolijohteen pietsoresistiiviseen vaikutukseen perustuva anturi, joka on puolijohteen paineantureiden pääasiallinen lajike. Alkuaikoina puolijohdevenymäanturit kiinnitettiin enimmäkseen elastisiin elementteihin erilaisten jännitys- ja venymämittauslaitteiden valmistamiseksi. 1960-luvulla integroidun puolijohdepiiritekniikan kehittyessä ilmestyi puolijohdepaineanturi, jossa oli diffuusiovastus pietsoresistiivisenä elementtinä. Tällaisella paineanturilla on yksinkertainen ja luotettava rakenne, ei suhteellisia liikkuvia osia, ja anturin paineherkkä elementti ja elastinen elementti on integroitu, mikä välttää mekaanisen viiveen ja virumisen ja parantaa anturin suorituskykyä.

Puolijohteen pietsoresistiivinen vaikutus Puolijohteella on ulkoiseen voimaan liittyvä ominaisuus, eli resistiivisyys (esitetty symbolilla ρ) muuttuu kantamansa jännityksen mukaan, jota kutsutaan pietsoresistiiviseksi vaikutukseksi. Resistiivisyyden suhteellista muutosta yksikköjännityksen vaikutuksesta kutsutaan pietsoresistiiviseksi kertoimeksi, joka ilmaistaan ​​symbolilla π. Matemaattisesti ilmaistuna ρ/ρ = π σ.

Missä σ edustaa jännitystä. Puolijohteen resistanssin aiheuttama resistanssiarvon muutos (R/R) rasituksessa määräytyy pääasiassa resistiivisyyden muutoksesta, joten pietsoresistiivisen vaikutuksen ilmaisu voidaan kirjoittaa myös muotoon R/R=πσ.

Ulkoisen voiman vaikutuksesta puolijohdekiteissä syntyy tietty jännitys (σ) ja venymä (ε), joiden välinen suhde määräytyy materiaalin Youngin moduulin (Y) avulla, eli Y=σ/ε.

Jos pietsoresistiivinen vaikutus ilmaistaan ​​puolijohteen jännityksellä, se on R/R=Gε.

G:tä kutsutaan paineanturin herkkyystekijäksi, joka edustaa resistanssiarvon suhteellista muutosta yksikköjännityksen vaikutuksesta.

Pietsoresistiivinen kerroin tai herkkyyskerroin on puolijohteen pietsoresistiivisen vaikutuksen fyysinen perusparametri. Niiden välinen suhde, kuten jännityksen ja venymän välinen suhde, määräytyy materiaalin Youngin moduulin mukaan, eli g = π y.

Puolijohdekiteiden kimmoisuuden anisotropian vuoksi Youngin moduuli ja pietsoresistiivinen kerroin muuttuvat kiteen orientoitumisen myötä. Puolijohteen pietsoresistiivisen vaikutuksen suuruus liittyy myös läheisesti puolijohteen resistiivisuuteen. Mitä pienempi resistiivisyys, sitä pienempi herkkyyskerroin. Diffuusiovastuksen pietsoresistiivisen vaikutuksen määrää diffuusiovastuksen kiteen orientaatio ja epäpuhtauspitoisuus. Epäpuhtauspitoisuus viittaa pääasiassa diffuusiokerroksen pinnan epäpuhtauspitoisuuteen.