Puolijohdepaine-anturit voidaan jakaa kahteen luokkaan, yksi perustuu periaatteeseen, jonka puolijohde PN-risteyksen (tai Schottky-risteys) I-υ -ominaisuudet muuttuvat stressin alla. Tämän paineherkän elementin suorituskyky on erittäin epävakaa, eikä sitä ole kehitetty suuresti. Toinen on anturi, joka perustuu puolijohdepietsoresistenttivaikutukseen, joka on puolijohdepaine -anturin tärkein lajike. Alkuaikoina puolijohdemittarit kiinnitettiin enimmäkseen elastisiin elementteihin erilaisten jännitys- ja rasitusmittausvälineiden valmistamiseksi. 1960 -luvulla puolijohde -integroidun piiriteknologian kehittyessä puolijohdepaine -anturi, jolla on diffuusiovastus pietsoresisoivan elementin ilmestyessä. Tällaisella paineanturilla on yksinkertainen ja luotettava rakenne, ei suhteellisia liikkuvia osia, ja anturin paineherkkä elementti ja elastinen elementti on integroitu, mikä välttää mekaanista viivettä ja hiipiä ja parantaa anturin suorituskykyä.

Puolijohde -puolijohteen pietsoresisoiva vaikutus on ominaisuus, joka liittyy ulkoiseen voimaan, toisin sanoen resistiivisyys (edustaa symbolilla ρ) muuttuu sen aiheuttaman stressin kanssa, jota kutsutaan pietsoresistiseksi vaikutukseksi. Resistiivisyyden suhteellista muutosta yksikköstressin vaikutuksesta kutsutaan pietsoresisoivakertoimeksi, joka ilmaisee symbolilla π. Ilmaistaan ​​matemaattisesti nimellä ρ/ρ = π σ.

Missä σ edustaa stressiä. Puolijohdevastuksen aiheuttama vastusarvo (R/R) stressin alla määritetään pääasiassa resistiivisyyden muutoksen avulla, joten pietsoresistenttivaikutuksen ilmentyminen voidaan kirjoittaa myös r/r = πσ.

Ulkoisen voiman vaikutuksen mukaan tietyt jännitykset (σ) ja kanta (ε) syntyy puolijohdekiteissä, ja niiden välinen suhde määritetään materiaalin Youngin moduulilla (y), ts. Y = σ/ε.

Jos rasitus ilmaisee pietsoresisoivan vaikutuksen puolijohdossa, se on R/R = Gε.

G kutsutaan paineanturin herkkyyskerroimeksi, joka edustaa vastusarvon suhteellista muutosta yksikköjännityksessä.

Pietsoresisoiva kerroin tai herkkyyskerroin on puolijohdepietsoresistenttivaikutuksen fysikaalinen parametri. Heidän välinen suhde, aivan kuten stressin ja kannan välinen suhde, määrää nuoren materiaalin moduuli, ts. G = π y.

Puolijohdekiteiden anisotropian vuoksi joustavuudessa Youngin moduuli ja pietsoresisoiva kertoimen muutokset kidesuunnittelulla. Puolijohdepietsoresistenttivaikutuksen suuruus liittyy myös läheisesti puolijohteen resistiivisyyteen. Mitä alhaisempi resistiivisyys, sitä pienempi herkkyyskerroin. Diffuusioresistenssin pietsoresisoiva vaikutus määritetään diffuusioresistenssin kidesuunnittelulla ja epäpuhtauskonsentraatiolla. Epäpuhtauspitoisuus viittaa pääasiassa diffuusiokerroksen pinta -epäpuhtauspitoisuuteen.